菊水Kikusui PMX32-3TR 多通道直流电源产品概要PMX-Multi系列是各输出通道彼此绝缘的小型多路输出直流电源。PMX32-3DU为2通道输出，PMX32-3TR为3通道输出，PMX32-2QU为4通道输出，各通道可一起改变（追寻）。各机型均能一键将输出CH1和输出CH2切换为串联／并联衔接。并且标配LAN（契合LXI规范），USB，RS23
CMPA0060002F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测验板
Cree 的 CMPA0060002F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 根据单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优胜的与硅或砷化镓比较的特性，包括更高的击穿率电压，更高的饱满电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 比较，GaN HEMT 还供给更高的功率密度和更宽的带宽和砷化镓晶体管。 该 MMIC 选用分布式（行波）放大器设
CG2H80030D-GP4氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。GaN与硅或砷化镓比较具有优胜的功能；包括更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度；和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，GaN HEMT 供给更高的功率密度和更宽的带宽。CG2H80030D-GP4 特征30 W 典型 PSAT28 伏操
CPW2-0650-S012B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二极管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关速度；零正反向恢复；和高频操作。针对开关形式电源 (SMPS) 等高功率使用进行了优化；PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管；逆变器级中的续流二极管；AC/
CGHV40100P-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测验板
Wolfspeed 的 CGHV40100 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40100；从 50 伏电压轨运转；供给通用的；适用于各种射频和微波使用的宽带解决方案。GaN HEMT 供给高效率；高增益和宽带宽才能；使 CGHV40100 成为线性和紧缩放大器电路的抱负挑选。该晶体管选用 2 引线法兰和药丸封装。CG
CMPA2560025F氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款根据氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓比较具有优胜的功能；包括更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，GaN HEMT 还供给更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包括一个两级无功匹配放大器；能够在很小的
MA4E2513L-1289 SURMOUNTTM 二极管是硅低势垒肖特基器材，选用取得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制作。HMIC™ 电路由硅基座组成，这些基座构成二极管或嵌入玻璃电介质中的通孔导体，玻璃电介质用作低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC™ 设备在一个薄型、牢靠的设备中具有十分超卓的损耗和功耗特性。Surmount Scho
QPD0020产品简介Qorvo 的 QPD0020 是一款无与伦比的 35 瓦分立式 GaN on SiC HEMT，可在 +48 V 电源轨上以 DC 至 6 GHz 的频率运转。它很合适基站、雷达和通讯使用，并能支撑 CW 和脉冲操作形式。QPD0020 可用于小型基站、微型基站和有源天线体系基站功率放大器末级的 Doherty 架构。QPD00
QPD0050 产品简介Qorvo 的 QPD0050 是一款宽带包覆成型 QFN 分立式功率放大器。该器材是单级无匹功放晶体管。QPD0050 可用于小型蜂窝、微蜂窝和有源天线体系基站功率放大器末级的 Doherty 架构。QPD0050 还可用作宏蜂窝基站功率放大器中的驱动器。QPD0050 的宽带宽使其适用于从 DC 到 3.6 GHz 的许多不同使用